Microchip Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 266 A 1200 V Förbättring, Phase Leg SiC MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 931-018
- Tillv. art.nr:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 enhet)*
1 406,15 kr
(exkl. moms)
1 757,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 406,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 931-018
- Tillv. art.nr:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 266A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | Phase Leg SiC MOSFET | |
| Typ av fäste | Direktmontering | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 726nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 766W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbrygga | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp MOSFET-moduler | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 266A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie Phase Leg SiC MOSFET | ||
Typ av fäste Direktmontering | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 726nC | ||
Maximal effektförlust Pd 766W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbrygga | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips avancerade strömmodul erbjuder en mycket effektiv lösning för fasben, utformad speciellt för krävande tillämpningar där tillförlitlighet och prestanda är avgörande.
Använder kiselkarbidteknik för minskad energiförlust
Har låg R övertemperaturdrift, vilket säkerställer stabil drift
Innehåller en intern termistor för exakt temperaturövervakning
Levererar enastående prestanda i högfrekvensmiljöer
Relaterade länkar
- ROHM 4:e generationens SiC MOSFET halvbrygga utvärderingskort SiC MOSFET till SiC MOSFET till Motor Drives
- ROHM Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 240 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, BSM
- Microchip Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 295 A 3300 V Förbättringsläge, mSiC
- Microchip Halvbrygga N Kanal, SiC-effektmodul, 151 A 3300 V Förbättringsläge, mSiC
- Infineon Halvbrygga N Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- ROHM N Kanal, SiC-effektmodul, 204 A 1200 V
- Infineon Halvbrygga N Kanal, MOSFET-moduler, 100 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, PG-TSDSO, EasyPACK