Microchip N Kanal, Modul, 251 A 1.2 kV, MSCSM

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

4 017,33 kr

(exkl. moms)

5 021,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +4 017,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
813-787
Tillv. art.nr:
MSCSMG120ANPCM11TPAG
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Kanaltyp

N

Produkttyp

Modul

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

251A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Serie

MSCSM

Typ av fäste

Kretskort

Maximal drain-källresistans Rds

10.4mΩ

Maximal effektförlust Pd

1042W

Framåtriktad spänning Vf

4V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

123nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

17.3mm

Längd

108mm

Höjd

62mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
Högpresterande silikonkarbidmodul från Microchip ger eliteffektivitet för krävande industriella tillämpningar. Denna robusta modul optimerar energiomvandling samtidigt som den minimerar omkopplingsförluster i högfrekvensmiljöer.

Innehåller IGBT7 för minskat spänningsfall och minimal läckström

Har intern termistor för exakt temperaturövervakning

Utformad med låg strålningsinduktans för optimal prestanda

Innehåller lödbara terminaler för enkel kretskortsmontering i lågprofiltillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.