Vishay N Kanal, MOSFET, 27 A 650 V N, 3 Ben, TO-263, S
- RS-artikelnummer:
- 878-897
- Tillv. art.nr:
- SIHB135N65S-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
18,59 kr
(exkl. moms)
23,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,59 kr |
| 10 - 99 | 12,32 kr |
| 100 - 499 | 10,53 kr |
| 500 - 999 | 9,97 kr |
| 1000 + | 9,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 878-897
- Tillv. art.nr:
- SIHB135N65S-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | S | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.121Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 255W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie S | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.121Ω | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 255W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays effekt-MOSFET ger exceptionella prestanda för energieffektiva tillämpningar. Den är speciellt utformad för krävande strömhantering och säkerställer minimala förluster under drift, vilket förbättrar det övergripande systemet med tillförlitlighet och effektivitet.
Använder den senaste SF-serien teknik för banbrytande effektivitet
Uppvisar låg förtjänstfaktor, vilket minskar effektförlusten avsevärt
Erbjuder lägre effektiv kapacitans för förbättrad omkopplingsprestanda
Avalancheenergiklassad för att motstå tuffa förhållanden
Enkel konfiguration optimerar utrymmet och förenklar designen
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 27 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, S Series
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-263, EF AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 211 A 650 V N, TO-263, iPB