Vishay N Kanal, MOSFET, 27 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, S Series
- RS-artikelnummer:
- 878-899
- Tillv. art.nr:
- SIHP135N65S-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
29,12 kr
(exkl. moms)
36,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 29,12 kr |
| 10 - 99 | 14,34 kr |
| 100 - 499 | 12,99 kr |
| 500 - 999 | 10,53 kr |
| 1000 + | 9,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 878-899
- Tillv. art.nr:
- SIHP135N65S-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | S Series | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.121Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 255W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie S Series | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.121Ω | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 255W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays effekt-MOSFET är utformad för optimal prestanda i server- och telekom-strömförsörjningstillämpningar, vilket ger förbättrad effektivitet och tillförlitlighet under krävande driftsförhållanden.
Använder den senaste SF-serien teknik för förbättrad funktionalitet
Erbjuder låg meritfaktor, vilket minskar effektförlusten under drift
Avalancheenergiklassad, vilket säkerställer hög tillförlitlighet under transientförhållanden
Halogenfri och blyfri konstruktion överensstämmer med miljöstandarder
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 27 A 650 V N, 3 Ben, TO-263, S
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Infineon N Kanal, MOSFET, 66 A 650 V N, TO-220, IPA
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V N, TO-220, IPA
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO 220 FullPAK, SF Series