Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, -8 A -20 V P, 8 Ben, PowerPAK, SI34 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 851-500
- Tillv. art.nr:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet, på ett band med 1)*
8,62 kr
(exkl. moms)
10,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,62 kr |
| 10 - 99 | 5,94 kr |
| 100 - 499 | 3,81 kr |
| 500 - 999 | 2,24 kr |
| 1000 + | 1,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 851-500
- Tillv. art.nr:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -20V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | SI34 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.024Ω | |
| Kanalläge | P | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 Qualified | |
| Bredd | 5.25mm | |
| Längd | 6.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -20V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie SI34 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.024Ω | ||
Kanalläge P | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.04mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 Qualified | ||
Bredd 5.25mm | ||
Längd 6.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays högpresterande P-kanal MOSFET, utformad för att möjliggöra effektiva strömomkopplingstillämpningar. Dess funktioner säkerställer tillförlitlig drift inom varierande spännings- och strömområden.
P-kanal MOSFET fungerar effektivt vid -20 V med låg påslagningsresistans
Kan hantera pulserande dräneringsströmmar upp till -32 A för krävande tillämpningar
Kontinuerlig avtappningsström på -7,5 A vid 25 °C underlättar termisk hantering
Gate-source-spänningstolerans på ±8 V för ökad hållbarhet i olika kretsar
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 250 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 45.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 65.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101