STMicroelectronics Förbättringsläge N Kanal, Effekt-MOSFET, 181 A 80 V N, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 898-600
- Tillv. art.nr:
- STL180N8F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 34%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
38,30 kr
(exkl. moms)
47,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 38,30 kr | - |
| 10 - 99 | 24,98 kr | 34% |
| 100 - 499 | 17,58 kr | 54% |
| 500 - 999 | 14,78 kr | 61% |
| 1000 + | 14,00 kr | 63% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 898-600
- Tillv. art.nr:
- STL180N8F8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 181A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | STL | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Förbättringsläge | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK2 | |
| Bredd | 5mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 5.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 181A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie STL | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Förbättringsläge | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK2 | ||
Bredd 5mm | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 5.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanalförstärkningsläge Effekt-MOSFET utformad i STripFET F8-teknik med en förbättrad trenchgrindstruktur. Den säkerställer en toppmodern meritfaktor för mycket låg påslagningsresistans samtidigt som den minskar interna kapacitans och grindladdning för snabbare och mer effektiv omkoppling.
MSL1-klass
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Förbättringsläge N Kanal, Effekt-MOSFET, 126 A 80 V N, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 203 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 96 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT, STH285N10F8-6AG
- STMicroelectronics N Kanal, STripFET F8 effekt-MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101