ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-440
- Tillv. art.nr:
- RD3L08CBLHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
26,86 kr
(exkl. moms)
33,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 13,43 kr | 26,86 kr |
| 20 - 48 | 11,855 kr | 23,71 kr |
| 50 - 198 | 10,61 kr | 21,22 kr |
| 200 - 998 | 8,58 kr | 17,16 kr |
| 1000 + | 8,385 kr | 16,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-440
- Tillv. art.nr:
- RD3L08CBLHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | RD3L08CBLHRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie RD3L08CBLHRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET är utformad för krävande tillämpningar och erbjuder utmärkt effektivitet och tillförlitlighet. Med en maximal dräneringskällspänning på 60 V och en kontinuerlig dräneringsström på 80 A är denna enhet idealisk för omkopplings- och förstärkningsuppgifter inom fordons- och konsumentelektronik. Dess låga påslagningsresistans på bara 5,3 mΩ maximerar energieffektiviteten, medan dess robusta konstruktion säkerställer att den tål tuffa driftsmiljöer, uppfyller AEC-Q101-kvalificeringar och ger 100 % avalanche-testning för ökad säkerhet. Denna MOSFET representerar en kraftfull lösning för avancerade kretsar, som blandar prestanda med strikta efterlevnadsstandarder.
Lågt motstånd på 5,3 mΩ förbättrar energieffektiviteten avsevärt
Stöder upp till 80 A kontinuerlig dräneringsström för robust prestanda i krävande tillämpningar
100 % avalanche-testad för att säkerställa stabilitet och tillförlitlighet under drift
AEC Q101-kvalificerad, vilket gör den lämplig för fordonstillämpningar
Brett arbetstemperaturområde från -55 °C till +175 °C säkerställer tillförlitlig prestanda under olika förhållanden
Integrerad termisk resistans i kopplingshöljet optimerar strömhanteringskapaciteten
Pb-fri och RoHS-kompatibel, i linje med moderna miljöstandarder.
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101