Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA36EP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 200-6823
- Tillv. art.nr:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
542,20 kr
(exkl. moms)
677,75 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 21,688 kr | 542,20 kr |
| 50 - 100 | 18,435 kr | 460,88 kr |
| 125 - 225 | 16,697 kr | 417,43 kr |
| 250 - 600 | 13,44 kr | 336,00 kr |
| 625 + | 12,58 kr | 314,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6823
- Tillv. art.nr:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQJA36EP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.25mm | |
| Längd | 4.2mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQJA36EP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.25mm | ||
Längd 4.2mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay SQJA36EP-T1_GE3 är en fordons-N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS-testad
<
egenskaper
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 166 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 500 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 72 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQJA78EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101