Vishay N Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 904-969
- Tillv. art.nr:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
14,67 kr
(exkl. moms)
18,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,67 kr |
| 10 - 24 | 9,56 kr |
| 25 - 99 | 5,63 kr |
| 100 - 499 | 5,50 kr |
| 500 + | 5,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-969
- Tillv. art.nr:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 266A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0021Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 263W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 266A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0021Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 263W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Bredd 4.9mm | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- GB
Vishays effekt-MOSFET ger tillförlitlig omkopplingsprestanda och effektiv drift för fordonstillämpningar och krävande miljöer, vilket säkerställer optimal strömhantering och ökad enhetens livslängd.
AEC-Q101-kvalificerad för fordonstillämpningar
TrenchFET Gen IV-teknik optimerar omkopplingsegenskaper
Låg påslagningsresistans förbättrar den övergripande effektiviteten
Brett driftstemperaturområde på -55 till +175 °C
Relaterade länkar
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -30 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ140EP
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -175 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -230 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -222 A -60 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 189 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101