Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 90 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 påse med 1000 enheter)*

15 609,00 kr

(exkl. moms)

19 511,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per påse*
1000 +15,609 kr15 609,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
598-908
Tillv. art.nr:
VN1206L-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Kanaltyp

N-kanalig vertikal DMOS FET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350mA

Maximal källspänning för dränering Vds

90V

Kapseltyp

TO-92-3 (TO-226AA)

Serie

VN1206

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3Ω

Kanalläge

Förbättringsläge

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1W

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.08mm

Höjd

5.33mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
The Microchip N channel enhancement-mode vertical transistor utilizes a vertical double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) structure along with a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination ensures the device is free from secondary breakdown and operates with a low power drive requirement, making it efficient and reliable for various applications.

Ease of paralleling

Low power drive requirement

High input impedance and high gain

Relaterade länkar