Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- RS-artikelnummer:
- 598-063
- Tillv. art.nr:
- DN2535N5-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 låda med 300 enheter)*
5 318,70 kr
(exkl. moms)
6 648,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per låda* |
|---|---|---|
| 300 + | 17,729 kr | 5 318,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-063
- Tillv. art.nr:
- DN2535N5-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N-kanalig DMOS FET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Serie | DN2535 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Utarmningsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Höjd | 2.29mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N-kanalig DMOS FET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-252 (D-PAK-3) | ||
Serie DN2535 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Utarmningsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Höjd 2.29mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Microchip Low threshold depletion mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
Relaterade länkar
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 500 V Utarmningsläge TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 500 V Utarmningsläge TO-252 (D-PAK-3), DN3145
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 500 V Utarmningsläge TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 500 V Utarmningsläge TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 500 V Utarmningsläge TO-252 (D-PAK-3), DN3545
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 500 V Utarmningsläge TO-252 (D-PAK-3), DN2540
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 9 V Utarmningsläge SOT-23-5, LND250
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 9 V Utarmningsläge SOT-23-5, MIC94050