Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3145
- RS-artikelnummer:
- 598-898
- Tillv. art.nr:
- DN3145N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
18 170,00 kr
(exkl. moms)
22 712,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 9,085 kr | 18 170,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-898
- Tillv. art.nr:
- DN3145N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanalig DMOS FET | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | DN3145 | |
| Kapseltyp | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Utarmningsläge | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.29mm | |
| Längd | 4.4mm | |
| Bredd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanalig DMOS FET | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie DN3145 | ||
Kapseltyp TO-252 (D-PAK-3) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Utarmningsläge | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.29mm | ||
Längd 4.4mm | ||
Bredd 3mm | ||
Standarder/godkännanden ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips utarmningstransistor använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikonportar. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg påslagningsresistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3545
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2540
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND250
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, MIC94050