Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 450 mA 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-artikelnummer:
- 598-241
- Tillv. art.nr:
- TN5325N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
7 567,00 kr
(exkl. moms)
9 459,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 + | 7,567 kr | 7 567,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-241
- Tillv. art.nr:
- TN5325N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N-kanalig vertikal DMOS FET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 450mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TN5325 | |
| Kapseltyp | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Längd | 4.2mm | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N-kanalig vertikal DMOS FET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 450mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TN5325 | ||
Kapseltyp TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Längd 4.2mm | ||
Höjd 5.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips vertikala N-kanalförstärkningstransistor är en lågt tröskelvärde, normalt avstängd enhet som använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer, tillsammans med den höga ingångsimpedansen och den positiva temperaturkoefficienten hos MOS-enheter. Som med alla MOS-strukturer är enheten fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning.
Lågt tröskelvärde
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
Fri från sekundära avbrott
Relaterade länkar
- Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 90 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 450 mA 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3545
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN3145