Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 450 mA 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 påse med 1000 enheter)*

5 203,00 kr

(exkl. moms)

6 504,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per påse*
1000 +5,203 kr5 203,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
598-241
Tillv. art.nr:
TN5325N3-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Kanaltyp

N-kanalig vertikal DMOS FET

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

450mA

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-92-3 (TO-226AA)

Serie

TN5325

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.8Ω

Kanalläge

Förbättringsläge

Maximal effektförlust Pd

1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Höjd

5.3mm

Längd

4.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Microchip N channel enhancement-mode vertical transistor is a low-threshold, normally-off device that uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination provides the power handling capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient characteristic of MOS devices. As with all MOS structures, the device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Low threshold

High input impedance and high gain

Free from secondary breakdown

Relaterade länkar