Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 450 mA 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

20 812,00 kr

(exkl. moms)

26 016,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +10,406 kr20 812,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
598-673
Tillv. art.nr:
TN0104N8-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Kanaltyp

N-kanalig vertikal DMOS FET

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

450mA

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-92-3 (TO-226AA)

Serie

TN0104

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.8Ω

Kanalläge

Förbättringsläge

Maximal effektförlust Pd

1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

4.2mm

Höjd

5.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

The Microchip N Channel Enhancement-Mode Vertical low-threshold transistor is built using a vertical DMOS structure and a well-established silicon-gate manufacturing process. This design combines the power handling capabilities of bipolar transistors with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices. Like all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Relaterade länkar