Microchip 1 N-kanal, P-kanal Kanal Elektriskt isolerade par med N-kanal och P-kanal (2 par), MOSFET-arrayer, 1.8 A 200 V
- RS-artikelnummer:
- 598-568
- Tillv. art.nr:
- TC7920K6-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3300 enheter)*
85 852,80 kr
(exkl. moms)
107 316,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | 26,016 kr | 85 852,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-568
- Tillv. art.nr:
- TC7920K6-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanal, P-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET-arrayer | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Serie | TC7920 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Elektriskt isolerade par med N-kanal och P-kanal (2 par) | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Certificate of Compliance | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanal, P-kanal | ||
Produkttyp MOSFET-arrayer | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Serie TC7920 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Elektriskt isolerade par med N-kanal och P-kanal (2 par) | ||
Standarder/godkännanden RoHS Certificate of Compliance | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Microchip High voltage, low-threshold N-channel and P-channel MOSFETs in a 12-lead DFN package feature integrated output drain high-voltage diodes, gate-to-source resistors, and gate-to-source Zener diode clamps, making them ideal for high-voltage pulser applications. These complementary, high-speed, high-voltage, gate-clamped MOSFET pairs use an advanced vertical DMOS structure and a proven silicon-gate manufacturing process. This combination delivers the power handling capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient characteristic of MOS devices.
Integrated gate to source resistor
Integrated gate to source Zener diode
Low threshold, low on-resistance
Low input and output capacitance
Fast switching speeds
Relaterade länkar
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Två par N- och P-kanaler, MOSFET-arrayer, 2.3 A 200 V Förbättring, 12 Ben, DFN,
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Komplementärt par, MOSFET-arrayer, 2 A 200 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, TC6320
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Oberoende N-kanal och P-kanal MOSFET, MOSFET-arrayer, 2.1 A Förbättring, 8 Ben, SOIC,
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal, MOSFET-arrayer, 350 mA 500 V Förbättring, 8 Ben, 8-bens SOIC (TG), TC1550
- Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- Microchip 1 Dubbel N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET-arrayer, 2.8 A 240 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TD9944
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC