Microchip 1 N-kanal, P-kanal Kanal Elektriskt isolerade par med N-kanal och P-kanal (2 par), MOSFET-arrayer, 1.8 A 200 V
- RS-artikelnummer:
- 598-568
- Tillv. art.nr:
- TC7920K6-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 3300 enheter)*
82 051,20 kr
(exkl. moms)
102 564,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | 24,864 kr | 82 051,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-568
- Tillv. art.nr:
- TC7920K6-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N-kanal, P-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET-arrayer | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Serie | TC7920 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Elektriskt isolerade par med N-kanal och P-kanal (2 par) | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Certificate of Compliance | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N-kanal, P-kanal | ||
Produkttyp MOSFET-arrayer | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Serie TC7920 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Elektriskt isolerade par med N-kanal och P-kanal (2 par) | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Certificate of Compliance | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Microchips högspänning, låg tröskel N-kanal och P-kanal MOSFET i ett 12-ledars DFN-paket har integrerade utgående dräneringsdioder med hög spänning, gate-to-source-motstånd och gate-to-source-zenerdiodklämmor, vilket gör dem idealiska för högspänningspulsertillämpningar. Dessa kompletterande, höghastighets, högspänning, grindklämda MOSFET-par använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en beprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer, tillsammans med den höga ingångsimpedansen och den positiva temperaturkoefficienten som kännetecknar MOS-enheter.
Integrerat grind-till-källmotstånd
Integrerad grind till käll-Zenerdiod
Låg tröskel, låg påslagningsresistans
Låg ingångs- och utgångskapacitet
Snabba växlingshastigheter
Relaterade länkar
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Två par N- och P-kanaler, MOSFET-arrayer, 2.3 A 200 V Förbättring, 12 Ben, DFN,
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Komplementärt par, MOSFET-arrayer, 2 A 200 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, TC6320
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal Oberoende N-kanal och P-kanal MOSFET, MOSFET-arrayer, 2.1 A Förbättring, 8 Ben, SOIC,
- Microchip 1 P-kanal, N-kanal Kanal, MOSFET-arrayer, 350 mA 500 V Förbättring, 8 Ben, 8-bens SOIC (TG), TC1550
- Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, OptiMOS AEC-Q101
- Microchip 1 Dubbel N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET-arrayer, 2.8 A 240 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TD9944
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben
- DiodesZetex 4 Typ N, Typ P Kanal Helbrygga, Effekt-MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC