Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- RS-artikelnummer:
- 509-273
- Tillv. art.nr:
- BSH105,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
56,68 kr
(exkl. moms)
70,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 760 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
- Dessutom levereras 42 000 enhet(er) från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 2,834 kr | 56,68 kr |
| 40 - 80 | 1,938 kr | 38,76 kr |
| 100 - 180 | 1,215 kr | 24,30 kr |
| 200 - 380 | 1,182 kr | 23,64 kr |
| 400 + | 1,165 kr | 23,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 509-273
- Tillv. art.nr:
- BSH105,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.05A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | BSH105 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 417mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8, +8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.05A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie BSH105 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 417mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20BK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002