onsemi, SiC-effektmodul 1200 V, F1-2PACK

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-5824
Tillv. art.nr:
NXH010P120MNF1PTG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

SiC-effektmodul

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

F1-2PACK

Typ av fäste

Genomgående hål

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal effektförlust Pd

250W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

SiC-modul - EliteSiC 2-PACK Half Bridge-topologi, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit-stift, termisk gränssnittsmaterial


ON Semiconductor är en strömmodul som innehåller en 10 mohm/1 200 V SiC MOSFET-halvbrygga och en termistor i en F1-kapsel.

10 mohm/1 200 V SiC MOSFET-halvbrygga

Alternativ med förtillverkad termisk gränssnittsmaterial och utan förtillverkad TIM

Presspassningsstift

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.