Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 37 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

80,29 kr

(exkl. moms)

100,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 31 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 980,29 kr
10 - 9972,24 kr
100 - 49966,53 kr
500 - 99961,82 kr
1000 +50,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
427-759
Tillv. art.nr:
DM800S12TDRB
Tillverkare / varumärke:
Starpower
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Starpower

Produkttyp

SiC Mosfet utan diod

Kanaltyp

Enkel omkopplare

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

37A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Kapseltyp

Tejp och rulle

Serie

DOSEMI

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

105mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

162W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

4.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Starpower MOSFET Power Discrete ger ultralåg ledningsförlust samt låg omkopplingsförlust. De är utformade för tillämpningar som hybrid- och elfordon.

SiC-effekt-MOSFET

Låg RDS(on)

Hölje med låg induktans undviker oscillationer

ROHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.