Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 37 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

80,29 kr

(exkl. moms)

100,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 40 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 980,29 kr
10 - 9972,24 kr
100 - 49966,53 kr
500 - 99961,82 kr
1000 +50,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
427-759
Tillv. art.nr:
DM800S12TDRB
Tillverkare / varumärke:
Starpower
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Starpower

Kanaltyp

Enkel omkopplare

Produkttyp

SiC Mosfet utan diod

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

37A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

DOSEMI

Kapseltyp

Tejp och rulle

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

105mΩ

Kanalläge

N

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal effektförlust Pd

162W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

4.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

Relaterade länkar