Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 118 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI
- RS-artikelnummer:
- 427-760
- Tillv. art.nr:
- DM170S12TDRB
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
227,84 kr
(exkl. moms)
284,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 13 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 227,84 kr |
| 10 - 99 | 204,96 kr |
| 100 + | 189,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 427-760
- Tillv. art.nr:
- DM170S12TDRB
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Starpower | |
| Kanaltyp | Enkel omkopplare | |
| Produkttyp | SiC Mosfet utan diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 118A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | DOSEMI | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29.0mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 355W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 19V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Starpower | ||
Kanaltyp Enkel omkopplare | ||
Produkttyp SiC Mosfet utan diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 118A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie DOSEMI | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29.0mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 355W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 19V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Starpower MOSFET Power Discrete ger ultralåg ledningsförlust samt låg omkopplingsförlust. De är utformade för tillämpningar som hybrid- och elfordon.
SiC-effekt-MOSFET
Låg RDS(on)
Chip-sinterteknik
Hölje med låg induktans undviker oscillationer
ROHS
Relaterade länkar
- Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 64 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI
- Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 37 A 1200 V N, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI
- Infineon CoolSiC Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 200 A, 1200 V AG-EASY2B FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Semikron Danfoss, SiC-effektmodul 1200 V, SEMITOP
- onsemi, SiC-effektmodul 1200 V, F1-2PACK
- Semikron Danfoss, SiC-effektmodul 1200 V, SEMITOP2, SEMITOP
- ROHM 4:e generationens SiC MOSFET halvbrygga utvärderingskort SiC MOSFET till SiC MOSFET till Motor Drives
- Semikron Danfoss, SiC-effektmodul, 56 A 1200 V, SEMITOP