Infineon N Kanal, Effekttransistor, 123 A 600 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247, IPW
- RS-artikelnummer:
- 349-265
- Tillv. art.nr:
- IPW60R016CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
215,60 kr
(exkl. moms)
269,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 227 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 215,60 kr |
| 10 - 99 | 193,98 kr |
| 100 + | 178,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-265
- Tillv. art.nr:
- IPW60R016CM8XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 123A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPW | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 171nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 521W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 123A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPW | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 171nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 521W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon IPW-serien effekttransistor, 600 V drain source-spänning, 123 A kontinuerlig drain-ström – IPW60R016CM8XKSA1
Denna effekttransistor är en högspännings-N-kanalförstärknings-MOSFET som är utformad för strömomvandlings- och omkopplingsuppgifter i krävande elektriska system. Den levereras i en PG-TO-247-förpackning med genomgående hål och är avsedd för tillämpningar som kräver kraftig strömhantering och drift vid förhöjda temperaturer. Enheten uppfyller RoHS- och JEDEC-standarder och är lämplig där robust termisk tolerans krävs.
Funktioner och fördelar:
• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 123 A kontinuerlig ström stöder drift med hög belastning
• Låg Rds(on) på 16 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 521 W maximal avledning möjliggör betydande effekthantering
• 171 nC grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingskontroll
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C möjliggör användning vid höga temperaturer
• 123 A kontinuerlig ström stöder drift med hög belastning
• Låg Rds(on) på 16 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 521 W maximal avledning möjliggör betydande effekthantering
• 171 nC grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingskontroll
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C möjliggör användning vid höga temperaturer
Användningsområden
• Lämplig för industriella motorstyrningsstegen
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används för växelriktare som kräver hög ström
• Kan användas för switchande strömförsörjning
• Lämplig för robusta hålmonteringskonstruktioner
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används för växelriktare som kräver hög ström
• Kan användas för switchande strömförsörjning
• Lämplig för robusta hålmonteringskonstruktioner
Vilka överväganden om grinddrivning bör beaktas?
Den typiska totala grindladdningen är 171 nC, så grinddrivarkapacitet och stig/fall-kontroll är viktiga för att hantera omkopplingsförluster och elektromagnetiska störningar.
Hur fungerar enheten termiskt under belastning?
Den kan sprida upp till 521 W
värmehantering som kylelement och kretskortslayout bör utformas för att hantera avledningen vid förväntade omgivningstemperaturer.
Vilka spännings- och strömgränser måste konstruktörer respektera?
Komponentens maximala drain-källspänning är 600 V och den kontinuerliga drain-strömmarkeringen är 123 A, så systemmarginaler och transienter måste beaktas för att undvika överbelastning.
Finns det monterings- eller paketerelaterade implementeringsanvisningar?
PG-TO-247-formatet med genomgående hål kräver lämpligt hålavstånd och mekaniskt stöd och möjliggör robust kylelementfäste för användning med hög effekt.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon, MOSFET, 211 A 650 V, PG-TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon, MOSFET, 13 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon, Effekttransistor, 60 A 600 V Förbättring, 20 Ben, PG-DSO-20-85, CoolGaN
- Infineon, Effekttransistor, 15 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-LSON-8-1, CoolGaN