Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-3027
- Tillv. art.nr:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 161,33 kr
(exkl. moms)
1 451,67 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 38,711 kr | 1 161,33 kr |
| 60 + | 35,732 kr | 1 071,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3027
- Tillv. art.nr:
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IPW | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 115mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 114W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AECQ101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IPW | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 115mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 114W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AECQ101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons SJ-effekt-MOSFET för bilar är i TO-247-kapsel och är en del av den fordonskvalificerade 650 V kalla MOS SJ-effekt-MOSFET CFD7A-produktfamiljen.
Möjliggör designer med högre effekttäthet
Skalbar som utformad för användning i PFC- och DC-DC-steg
Granulärt sortiment tillgängligt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon, MOSFET, 211 A 650 V, PG-TO-247, IPW
- Infineon, MOSFET, 13 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 123 A 600 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101