Infineon N Kanal, MOSFET, 17.5 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IPW
- RS-artikelnummer:
- 260-1106
- Tillv. art.nr:
- IPW95R310PFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 240 enheter)*
4 409,76 kr
(exkl. moms)
5 512,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 240 enhet(er) levereras från den 15 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 18,374 kr | 4 409,76 kr |
| 480 - 480 | 17,455 kr | 4 189,20 kr |
| 720 + | 16,721 kr | 4 013,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1106
- Tillv. art.nr:
- IPW95R310PFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Serie | IPW | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 310mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Serie IPW | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 310mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 950 V CoolMOS PFD7-serie sätter nya riktmärken inom super junction (SJ)-tekniker. Denna teknik är utformad för belysnings- och industriella SMPS-tillämpningar genom att kombinera klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet. Jämfört med CoolMOS P7-familjerna erbjuder PFD7 en integrerad ultrasnabb kroppsdiod som möjliggör användning i resonanstopologier med marknadens lägsta omvända återhämtningsladdning (Qrr).
Klassens bästa CoolMOS-kvalitet och tillförlitlighet
Klassens bästa RDS (på) i THD- och SMD-kapslar
ESD-skydd min. Klass 2 (HBM)
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17.5 A 950 V, 3 Ben, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 74.7 A 950 V, 3 Ben, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 900 V, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V, 3 Ben, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17.5 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH