Infineon, MOSFET, 211 A 650 V, PG-TO-247, IPW
- RS-artikelnummer:
- 258-3917
- Tillv. art.nr:
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 28,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
112,45 kr
(exkl. moms)
140,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 186 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 112,45 kr | - |
| 5 - 9 | 106,85 kr | 28,00 kr |
| 10 - 24 | 102,37 kr | 100,80 kr |
| 25 - 49 | 97,66 kr | 369,75 kr |
| 50 + | 91,17 kr | 1 064,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3917
- Tillv. art.nr:
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 211A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 211A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS N-kanalig SJ-effekt-MOSFET för bilar i TO-247-kapsel är en del av den fordonskvalificerade 650 V CoolMOS SJ-effekt-MOSFET CFD7A-produktfamiljen. Jämfört med den föregående generationen erbjuder CoolMOS CFD7A högre tillförlitlighet och effekttäthet samtidigt som designflexibiliteten ökar.
Effektivitetsförbättringar i hårda och mjuka switchande topologier upp till 98,4 %
Intrinsiskt snabb kroppsdiod med 30 % lägre Qrr jämfört med CoolMOS CFDA
Skalbar som utformad för användning i PFC- och DC-DC-steg
Granulärt sortiment tillgängligt
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 211 A 650 V, PG-TO-247, IPW
- Infineon, MOSFET, 13 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-247, IPW
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247, IPW
- Infineon, MOSFET, 63 A, TO-247, IPW