Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, MSOP, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 301-186
- Distrelec artikelnummer:
- 302-84-021
- Tillv. art.nr:
- IRF7507TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 301-186
- Distrelec artikelnummer:
- 302-84-021
- Tillv. art.nr:
- IRF7507TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | MSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.40Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982 | |
| Bredd | 3mm | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 860μm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp MSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.40Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982 | ||
Bredd 3mm | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 860μm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Power MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Infineon
Infineons MOSFET:er med dubbel effekt integrerar två HEXFET®-enheter för att ge platsbesparande, kostnadseffektiva switchlösningar i konstruktioner med hög komponenttäthet där kortutrymmet är begränsat. En mängd olika förpackningsalternativ finns tillgängliga och konstruktörerna kan välja konfigurationen Dual N/P-channel.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, MSOP, HEXFET
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MSOP, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
