Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-058
- Tillv. art.nr:
- ISC800P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
111,55 kr
(exkl. moms)
139,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,31 kr | 111,55 kr |
| 50 - 95 | 21,212 kr | 106,06 kr |
| 100 - 495 | 19,644 kr | 98,22 kr |
| 500 - 995 | 18,10 kr | 90,50 kr |
| 1000 + | 17,382 kr | 86,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-058
- Tillv. art.nr:
- ISC800P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -19.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -19.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS-effekttransistor som omdefinierar effektiviteten med sin överlägsna P-kanalteknik som är utformad för högpresterande tillämpningar. Med en störningsspänning på 60 V är den konstruerad för robust industriell användning, vilket garanterar tillförlitlig prestanda under varierande driftsförhållanden. Det unika SuperSO8-huset underlättar en optimal termisk väg för värmeavledning, vilket ökar enhetens tillförlitlighet och livslängd. Denna transistor genomgår rigorösa tester, inklusive 100 % lavintester, vilket säkerställer att den uppfyller de högsta standarderna för tillförlitlighet och kvalitet. Med ett branschledande lågt motstånd på påverkan minskar den avsevärt effektförluster, vilket gör den till ett utmärkt val för energimedvetna konstruktioner.
Mycket lågt motstånd vid påverkan förbättrar effektiviteten
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Blyfri blybeläggning för överensstämmelse
Halogenfri konstruktion stöder miljövänlighet
Drift på logisk nivå för enkel gränssnitt
Lämplig för olika industriella tillämpningar
Utmärkta termiska egenskaper säkerställer tillförlitlighet
Förbättringslägesdesign för stabil prestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5