Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-758
- Tillv. art.nr:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
213,02 kr
(exkl. moms)
266,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 42,604 kr | 213,02 kr |
| 50 - 95 | 40,454 kr | 202,27 kr |
| 100 - 495 | 37,52 kr | 187,60 kr |
| 500 - 995 | 34,518 kr | 172,59 kr |
| 1000 + | 33,242 kr | 166,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-758
- Tillv. art.nr:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 132A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 132A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en effekttransistor som exemplifierar banbrytande teknik och prestanda, utformad för effektiv drift i krävande tillämpningar. Optimerad för synkron utjämning, säkerställer den överlägsen termisk hantering och tillförlitlighet, vilket gör den till ett idealiskt val för olika industriella användningsområden. Den är byggd kring OptiMOS 5-plattformen och är skräddarsydd för att fungera effektivt inom ett 60 V-område samtidigt som den behåller ett kompakt avtryck. Dess robusta design underlättar effektiv omkoppling, vilket säkerställer hög prestanda samtidigt som förlusterna minimeras.
Överlägset värmebeständighet för tillförlitlighet
Blyfri plätering för miljökompatibilitet
100 % lavintester för prestandasäkerhet
Enastående grindladdning för växlingseffektivitet
Uppfyller halogenfria standarder
Perfekt för krävande industriella tillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 127 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 700 A 30 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 150 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS