Infineon N Kanal, MOSFET, 151 A 150 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- RS-artikelnummer:
- 351-911
- Tillv. art.nr:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
138,66 kr
(exkl. moms)
173,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 000 enhet(er) levereras från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 69,33 kr | 138,66 kr |
| 20 - 198 | 62,44 kr | 124,88 kr |
| 200 - 998 | 57,57 kr | 115,14 kr |
| 1000 - 1998 | 53,425 kr | 106,85 kr |
| 2000 + | 47,825 kr | 95,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-911
- Tillv. art.nr:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 151A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | IQD0 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.32mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Bredd | 6mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 750μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 151A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PG-WHTFN-9 | ||
Serie IQD0 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.32mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Bredd 6mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 750μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineons effekt-MOSFET levereras med en låg RDS(on) på 6, 32 mOhm i kombination med utmärkt termisk prestanda för enkel hantering av effektförluster. Center-Gate-fotavtrycket är optimerat för parallellisering. Dessutom kan fem gånger mer ström dissiperas med det dubbelsidiga kylpaketet jämfört med det gjutna paketet. Detta möjliggör högre systemeffektivitet och effekttäthet för en mängd olika slutanvändningar.
Toppmodern 150 V-kiselteknik
Utomordentliga FOM
Förbättrade termiska prestanda
Ultralåg parasitisk effekt
Maximerat chip- eller paketförhållande
Center-Gate-fotavtryck
Industristandardpaket
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 151 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 700 A 30 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 127 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS