Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-764
- Tillv. art.nr:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 6000 enheter)*
101 604,00 kr
(exkl. moms)
127 008,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | 16,934 kr | 101 604,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-764
- Tillv. art.nr:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 9 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 9 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har en OptiMOS 5-effekttransistor som ger hög effektivitet och tillförlitlighet skräddarsydd för krävande tillämpningar. Med fokus på optimerad prestanda i switch-mode-nätaggregat, utmärker sig denna N-kanal MOSFET i synkron utjämningsuppgifter. Utformad med avancerade termiska egenskaper, säkerställer den överlägsen värmeavledning tillsammans med extremt lågt motstånd vid tändning, vilket möjliggör effektiv drift även under strikta elektriska krav. Komponenten utmärker sig för sin omfattande validering enligt JEDEC-standarderna för industriella tillämpningar, vilket garanterar lugn för professionella användare. Transistorn är idealisk för industriella strömkretsar och har ett robust avrinningsvärde, vilket säkerställer motståndskraft under höga stressscenarier, vilket gör den till ett smart val för morgondagens strömhanteringssystem.
Optimerad för högpresterande SMPS
Logisk nivånsstyrning för lågspänningssystem
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Halogenfri konstruktion för miljöansvar
Blyfri blybeläggning för moderna standarder
RoHS-kompatibel för säker användning
Överlägset värmebeständighet för hållbarhet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 127 A 80 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 700 A 30 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 151 A 150 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS