Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-634
- Tillv. art.nr:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
80 104,00 kr
(exkl. moms)
100 128,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 20,026 kr | 80 104,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-634
- Tillv. art.nr:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en effekttransistor för högpresterande tillämpningar som kräver robust effektivitet och tillförlitlighet. Med sin dubbelsidiga kylförpackning har den den lägsta sammanslagningen till TOP värmebeständighet, vilket möjliggör överlägsen värmeavledning. N-kanalens konstruktion säkerställer optimal prestanda i synkroniserade tillämpningar, vilket gör den till ett idealiskt val för moderna strömhanteringssystem. Med blybeläggning utan bly och överensstämmelse med RoHS. Dessutom säkerställer dess höga lavinmärke stabilitet under krävande förhållanden, medan den nominella driftstemperaturen på upp till 175 °C förbättrar dess användbarhet i olika miljöer.
Sömlös integration för synkroniserade tillämpningar
Uppfyller JEDEC-standarderna för industriell användning
Avancerad värmehantering förbättrar hållbarheten
Enastående motståndskraft för effektivitet
Hanterar hög lavin-energi på ett tillförlitligt sätt
Stöder halogenfri och miljömedveten design
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 89 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS