ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- RS-artikelnummer:
- 264-755
- Tillv. art.nr:
- HP8KB7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
88,93 kr
(exkl. moms)
111,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 95 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,786 kr | 88,93 kr |
| 50 - 95 | 16,89 kr | 84,45 kr |
| 100 - 495 | 15,636 kr | 78,18 kr |
| 500 - 995 | 14,404 kr | 72,02 kr |
| 1000 + | 13,866 kr | 69,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-755
- Tillv. art.nr:
- HP8KB7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | HP8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.0mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27.0nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie HP8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.0mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27.0nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM 40 V 24 A Dual Nch+Nch är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplingstillämpningar.
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N Kanal Nch + Nch, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HP8
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6