ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HP8
- RS-artikelnummer:
- 264-763
- Tillv. art.nr:
- HT8KB5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
59,25 kr
(exkl. moms)
74,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,925 kr | 59,25 kr |
| 100 - 240 | 5,634 kr | 56,34 kr |
| 250 - 490 | 5,219 kr | 52,19 kr |
| 500 - 990 | 4,794 kr | 47,94 kr |
| 1000 + | 4,626 kr | 46,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-763
- Tillv. art.nr:
- HT8KB5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HP8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 47mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 13W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HP8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 47mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 13W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM 40 V 12 A Dual Nch+Pch är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplingstillämpningar.
Hög effekt liten formpaket (HSMT8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N Kanal Nch + Nch, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HP8
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263