STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Förbättring, 8 Ben, ACEPACK SMIT, MDmesh DM6 AEC
- RS-artikelnummer:
- 152-113
- Tillv. art.nr:
- SH63N65DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
235,98 kr
(exkl. moms)
294,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 235,98 kr |
| 10 - 99 | 206,98 kr |
| 100 - 199 | 204,40 kr |
| 200 - 399 | 201,82 kr |
| 400 + | 199,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-113
- Tillv. art.nr:
- SH63N65DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 53A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Kapseltyp | ACEPACK SMIT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 64mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.55V | |
| Maximal effektförlust Pd | 424W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AQG 324 | |
| Fordonsstandard | AEC | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 53A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Kapseltyp ACEPACK SMIT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 64mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.55V | ||
Maximal effektförlust Pd 424W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AQG 324 | ||
Fordonsstandard AEC | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics-enheten kombinerar två MOSFET i en halvbrotopologi. ACEPACK SMIT är en mycket kompakt och robust kraftmodul i ett ytmonterat hus för enkel montering. Tack vare DBC-substratet erbjuder ACEPACK SMIT-huset lågt värmemotstånd i kombination med en isolerad värmekudde på översidan. Den höga konstruktionsflexibiliteten i höljet möjliggör flera konfigurationer, inklusive fasben, boost och en enda omkopplare genom olika kombinationer av de interna strömbrytarna.
AQG 324-kvalificerad
Halvbro-effektmodul
650 V blockeringsspänning
Husdiod för snabb återhämtning
Mycket låga omkopplingsenergier
Låg induktans i paketet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Förbättring, 8 Ben, ACEPACK SMIT, MDmesh DM6 AEC
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 650 V, 3 Ben, ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 650 V, 3 Ben, ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET 650 V Avskrivningar, 9 Ben, ACEPACK SMIT, HB
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM6 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DM6
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh V effekt-MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 500 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH