STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 72 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM6 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 225-0678
- Tillv. art.nr:
- STWA68N65DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
2 365,89 kr
(exkl. moms)
2 957,37 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 510 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 78,863 kr | 2 365,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-0678
- Tillv. art.nr:
- STWA68N65DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 72A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 39mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 480W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 118nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 40.92mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.8mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 72A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 39mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 480W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 118nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 40.92mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.8mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics högspännings N-kanal Power MOSFET är en del av MDmesh DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med den tidigare MDmesh snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden för de mest krävande högeffektiva brotopologierna och ZVS-fasomvandlarna.
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
629
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM6 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Förbättring, 8 Ben, ACEPACK SMIT, MDmesh DM6 AEC
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DM6
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M9
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2