Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 313 A 1200 V 12 kHz, 7 Ben, SEMITRANS Panel 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 775,10 kr

(exkl. moms)

3 468,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12 775,10 kr
2 - 42 636,48 kr
5 - 92 303,39 kr
10 - 192 059,12 kr
20 +1 956,53 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
687-4973
Tillv. art.nr:
SKM200GB12E4
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

313A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Switchhastighet

12kHz

Minsta arbetsstemperatur

175°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Bredd

61.4 mm

Serie

SKM200GB12E4

Standarder/godkännanden

No

Längd

106.4mm

Höjd

30mm

Fordonsstandard

Nej

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar