Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 81 A 1200 V 20 kHz, 7 Ben, SEMITRANS Panel 2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

979,52 kr

(exkl. moms)

1 224,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 48 enhet(er) levereras från den 17 juni 2026
  • Dessutom levereras 16 enhet(er) från den 24 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1979,52 kr
2 - 4930,61 kr
5 - 9862,06 kr
10 - 19818,94 kr
20 +777,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
687-4967
Distrelec artikelnummer:
171-01-156
Tillv. art.nr:
SKM50GB12T4
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

81A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Switchhastighet

20kHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

175°C

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Höjd

30.1mm

Längd

94mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

SKM50GB12T4

Fordonsstandard

Nej

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.