Semikron Danfoss, IGBT-modul, Typ N Kanal, 232 A 1200 V 20 kHz, 7 Ben, SEMITRANS Panel 2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1 398,05 kr

(exkl. moms)

1 747,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 110 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 32 enhet(er) från den 21 oktober 2026
  • Dessutom levereras 16 enhet(er) från den 18 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 11 398,05 kr
2 - 41 328,10 kr
5 - 91 042,83 kr
10 - 19929,71 kr
20 +891,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
687-4964
Tillv. art.nr:
SKM150GB12T4
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

232A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Switchhastighet

20kHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

94mm

Serie

SKM150GB12T4

Höjd

30.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
SK

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.