Semikron Danfoss, IGBT-modul, N Kanal, 400 A 1200 V 12 kHz, 7 Ben, SEMITRANS Skruv 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

8 490,61 kr

(exkl. moms)

10 613,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 53 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
1 - 18 490,61 kr
2 - 48 066,02 kr
5 +7 038,64 kr

*vägledande pris

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Semikron Danfoss, IGBT-modul, N Kanal, 422 A 1200 V 12 kHz, 7 Ben, SEMITRANS Skruv 2
RS-artikelnummer
125-1113

Varje

2 360,15 kr

(exkl. moms)

2 950,19 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
125-1115
Tillv. art.nr:
SKM400GB125D
Tillverkare / varumärke:
Semikron Danfoss
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Semikron Danfoss

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

400A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Kapseltyp

SEMITRANS

Typ av fäste

Skruv

Kanaltyp

N

Antal ben

7

Switchhastighet

12kHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

3.85V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

106.4mm

Bredd

61.4mm

Höjd

30.5mm

Serie

SKM400GB125D

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
SK

Dubbla IGBT-moduler


En serie SEMITOP® IGBT-moduler från Semikron som innehåller två seriekopplade (halvbrygga) IGBT-enheter. Modulerna finns i ett stort antal spännings- och strömklasser och är lämpliga för en mängd olika applikationer med kraftomkoppling, t.ex. frekvensomriktare och avbrottsfria nätaggregat.

Kompakt SEMITOP®-förpackning

Lämplig för omkopplingsfrekvenser upp till 12 kHz

Isolerad kopparbasplatta med Direct Bonded Copper-teknik

IGBBT-moduler, Semikron


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.