Infineon, IGBT-modul, 650 A 150 V, 8 Ben, Modul Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

14 903,595 kr

(exkl. moms)

18 629,49 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 90993,573 kr14 903,60 kr
105 +910,777 kr13 661,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7364
Tillv. art.nr:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

650A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

150V

Maximal effektförlust Pd

335W

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Antal ben

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Längd

62.4mm

Bredd

56.7 mm

Standarder/godkännanden

UL (E83335)

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat

Compact design

Rugged mounting

Low inductive design

Low Switching Losses

Relaterade länkar