Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

113,74 kr

(exkl. moms)

142,175 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 980 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4522,748 kr113,74 kr
50 - 9517,516 kr87,58 kr
100 - 24516,24 kr81,20 kr
250 - 49515,926 kr79,63 kr
500 +15,59 kr77,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2957
Tillv. art.nr:
IGB20N65S5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

TRENCHSTOPTM5

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.

Gate drivers with Miller clamping not required

Reduction in the EMI filtering needed

Excellent for paralleling

relaterade länkar