Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole

Se alla IGBTs

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

8 563,00 kr

(exkl. moms)

10 704,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +8,563 kr8 563,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2956
Tillv. art.nr:
IGB20N65S5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TRENCHSTOPTM5

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.

Gate drivers with Miller clamping not required

Reduction in the EMI filtering needed

Excellent for paralleling

relaterade länkar