Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 24 enheter)*

7 222,104 kr

(exkl. moms)

9 027,624 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
24 +300,921 kr7 222,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2931
Tillv. art.nr:
FS50R12W1T7B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

6

Maximal effektförlust Pd

20mW

Konfiguration

Gemensam emitter

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.64V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

16.4mm

Längd

62.8mm

Bredd

33.8 mm

Standarder/godkännanden

EN61140, IEC61140

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and pressFIT contact technology.

High power density

Compact design

Relaterade länkar