Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

8 251,485 kr

(exkl. moms)

10 314,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15550,099 kr8 251,49 kr
30 +536,345 kr8 045,18 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2929
Tillv. art.nr:
FS50R12KT3BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

280W

Antal transistorer

6

Konfiguration

Gemensam emitter

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

28

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

45 mm

Standarder/godkännanden

IEC61140, EN61140

Längd

107.5mm

Höjd

20.5mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled HE diode and NTC.

Established Econo module concept

Integrated temperature sensor available

Low stray inductance module design

Relaterade länkar

Recently viewed