Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7
- RS-artikelnummer:
- 258-3756
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
23 257,00 kr
(exkl. moms)
29 071,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 23,257 kr | 23 257,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3756
- Tillv. art.nr:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
The Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.
Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
relaterade länkar
- Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7
- Infineon IGB15N65S5ATMA1 IGBT PG-TO263-3
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
- Infineon IKP15N65H5XKSA1 IGBT Transistor Module, 30 A 650 V PG-TO220-3
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF129N20NM6ATMA1