Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

79,30 kr

(exkl. moms)

99,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 276 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1839,65 kr79,30 kr
20 - 4833,71 kr67,42 kr
50 - 9831,695 kr63,39 kr
100 - 19829,345 kr58,69 kr
200 +27,33 kr54,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6655
Tillv. art.nr:
IKB40N65ES5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

79A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

230W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.35V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Recently viewed