Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

81,42 kr

(exkl. moms)

101,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 276 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1840,71 kr81,42 kr
20 - 4834,61 kr69,22 kr
50 - 9832,59 kr65,18 kr
100 - 19830,185 kr60,37 kr
200 +28,11 kr56,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6655
Tillv. art.nr:
IKB40N65ES5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

79 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

relaterade länkar