STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

224,45 kr

(exkl. moms)

280,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • 450 enhet(er) levereras från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2044,89 kr224,45 kr
25 - 4543,658 kr218,29 kr
50 - 12042,516 kr212,58 kr
125 - 24541,44 kr207,20 kr
250 +40,364 kr201,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-8630
Tillv. art.nr:
STGWA30IH65DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

108 W

Package Type

TO-247

Pin Count

4

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Low drop voltage freewheeling co-packaged diode
Positive VCE(sat) temperature coefficient

Relaterade länkar