STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 340,64 kr

(exkl. moms)

1 675,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 450 enhet(er) levereras från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3044,688 kr1 340,64 kr
60 - 12043,527 kr1 305,81 kr
150 - 27042,407 kr1 272,21 kr
300 +41,335 kr1 240,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-6065
Tillv. art.nr:
STGWA30IH65DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

60A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

108W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

4

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

21.1 mm

Höjd

5.1mm

Serie

STG

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

15.9mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Low drop voltage freewheeling co-packaged diode

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Relaterade länkar