STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 340,64 kr

(exkl. moms)

1 675,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 450 enhet(er) levereras från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 3044,688 kr1 340,64 kr
60 - 12043,527 kr1 305,81 kr
150 - 27042,407 kr1 272,21 kr
300 +41,335 kr1 240,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-6065
Tillv. art.nr:
STGWA30IH65DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

108 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Pin Count

4

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Low drop voltage freewheeling co-packaged diode
Positive VCE(sat) temperature coefficient

relaterade länkar