STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 IGBT, 145 A 650 V, 3-Pin TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 487,82 kr

(exkl. moms)

1 859,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 9049,594 kr1 487,82 kr
120 - 24043,99 kr1 319,70 kr
270 - 48042,847 kr1 285,41 kr
510 - 99041,757 kr1 252,71 kr
1020 +40,716 kr1 221,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-7206
Tillv. art.nr:
STGWA100H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

145 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

441 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 100 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

relaterade länkar