STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 189,77 kr

(exkl. moms)

1 487,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 9039,659 kr1 189,77 kr
120 - 24038,588 kr1 157,64 kr
270 - 48037,557 kr1 126,71 kr
510 - 99036,605 kr1 098,15 kr
1020 +35,694 kr1 070,82 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-7211
Tillv. art.nr:
STGWA75H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

115 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

357 W

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

relaterade länkar