STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

123,09 kr

(exkl. moms)

153,862 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 861,545 kr123,09 kr
10 +52,19 kr104,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-8629
Tillv. art.nr:
STGW75H65DFB2-4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

115 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

357 W

Package Type

TO-247

Pin Count

4

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

relaterade länkar