STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 120 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 639,11 kr

(exkl. moms)

2 048,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 390 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +54,637 kr1 639,11 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-6320
Tillv. art.nr:
STGW80V60DF
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

120A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

469W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

20.15mm

Längd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

Trench Gate Field Stop

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed